ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STD13NM60ND, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STD13NM60ND, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STD13NM60ND, Транзистор
Последняя цена
130 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой МОП-транзистор FDmesh ™, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STD13NM60ND
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1815961
Технические параметры
Вес, г
0.35
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
DPAK (TO-252)
Transistor Material
Si
Length
6.6мм
Brand
STMicroelectronics
Series
FDmesh
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
24.5 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Power Dissipation
109 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
6.2мм
Height
2.4мм
Maximum Drain Source Resistance
380 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
600 В
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1547 КБ
