TK11P65W,RQ(S, MOSFET N-CH 650V 11A 2.5-3.5V DPAK транзистор, Toshiba - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 520 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

Toshiba

Артикул

TK11P65W,RQ(S

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1814616

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

11,1 А

Максимальное рассеяние мощности

100 Вт

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

6.1мм

Высота

2.3мм

Количество элементов на ИС

Максимальное сопротивление сток-исток

440 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

650 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

1.7V

Длина

6.6

Серия

DTMOSIV

Типичное время задержки выключения

85 ns

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Размеры

6.6 x 6.1 x 2.3мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

45 ns

Производитель

Toshiba

Maximum Gate Threshold Voltage

3.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Число контактов

Категория

Коммутируемый полевой МОП-транзистор с регулятором

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

890 пФ при 300 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

TK11P65W,RQ(S, MOSFET N-CH 650V 11A 2.5-3.5V DPAK транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 520 руб.