IRF100P218XKMA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1020 руб.

Сравнить

Описание

N-канал 100V 209A (Tc) 556W (Tc) сквозное отверстие TO-247AC

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1813308

Технические параметры

Вес, г

7.068

Series

StrongIRFETв„ў ->

Base Product Number

IRF100 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

209A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

555nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

25000pF @ 50V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

Power Dissipation (Max)

556W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.28mOhm @ 100A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247AC

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

3.8V @ 278ВµA

Техническая документация

Datasheet IRF100P218XKMA1 , pdf , 1136 КБ
Datasheet IRF100P218XKMA1 , pdf , 1066 КБ

IRF100P218XKMA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 1020 руб.

Техническая документация