STS5NF60L, Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; полевой; 60В; 3А; 2,5Вт; SO8, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 210 руб.

Сравнить

Описание

N-канальные полевые МОП-транзисторы STripFET ™ DeepGate ™, STMicroelectronics
МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STS5NF60L

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1813185

Технические параметры

Вес, г

0.5

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5мм

Brand

STMicroelectronics

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Height

1.65мм

Maximum Drain Source Voltage

60 В

Channel Type

Transistor Configuration

Одинарный

Package Type

SOIC

Width

4мм

Pin Count

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

5 А

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Series

DeepGate, STripFET

Maximum Drain Source Resistance

55 mΩ

Typical Gate Charge @ Vgs

17 nC @ 5 V

Transistor Material

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Техническая документация

Datasheet STS5NF60L , pdf , 304 КБ
Datasheet STS5NF60L , pdf , 294 КБ

STS5NF60L, Транзистор: N-MOSFET; STripFET™ II; полевой; 60В; 3А; 2,5Вт; SO8 - характеристики, поставщики

Последняя цена 210 руб.

Техническая документация