FQP27N25, Транзистор, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 360 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

FQP27N25

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1812679

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

2.88

Максимальный непрерывный ток стока

25 A

Максимальное рассеяние мощности

180 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.7мм

Высота

9.4мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

110 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

250 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.1мм

Серия

QFET

Типичное время задержки выключения

80 нс

Тип корпуса

TO-220AB

Размеры

10.1 x 4.7 x 9.4мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

32 нс

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

50 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

1900 pF @ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

FQP27N25, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 360 руб.