ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STD30N10F7, МОП-транзистор, N Канал, 32 А, 100 В, 0.02 Ом, 10 В, 4.5 В - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STD30N10F7, МОП-транзистор, N Канал, 32 А, 100 В, 0.02 Ом, 10 В, 4.5 В
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STD30N10F7, МОП-транзистор, N Канал, 32 А, 100 В, 0.02 Ом, 10 В, 4.5 В
Последняя цена
510 руб.
Сравнить
Описание
N-канальные полевые МОП-транзисторы STripFET ™ H7, STMicroelectronics
МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STD30N10F7
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1812463
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
175 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252
Рассеиваемая Мощность
50Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
100В
Непрерывный Ток Стока
32А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.02Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
4.5В
Вес, г
0.35
Линейка Продукции
STripFET F7 Series
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 764 КБ