FDD8N50NZTM, Транзистор, Fairchild Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 250 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный МОП-транзистор UniFET ™, Fairchild Semiconductor
МОП-транзистор UniFET ™ - это семейство высоковольтных МОП-транзисторов Fairchild Semiconductor. Он имеет наименьшее сопротивление в открытом состоянии среди планарных полевых МОП-транзисторов, а также обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую устойчивость к лавинной энергии. Кроме того, внутренний антистатический диод затвор-исток позволяет MOSFET-транзистору UniFET-II ™ выдерживать импульсное напряжение HBM более 2000 В.
Полевые МОП-транзисторы UniFET ™ подходят для применения в импульсных преобразователях мощности, таких как коррекция коэффициента мощности (PFC), плоские дисплеи (FPD) Питание телевизора, ATX (Advanced Technology eXtended) и электронные балласты для ламп.

Информация

Производитель

Fairchild Semiconductor

Артикул

FDD8N50NZTM

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1812212

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

6,9 А

Максимальное рассеяние мощности

90 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

6.22мм

Высота

2.39мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

850 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

6.73мм

Серия

UniFET

Типичное время задержки выключения

43 нс

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.39мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

17 ns

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

14 нКл при 25 В

Типичная входная емкость при Vds

565 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-25 В, +25 В

FDD8N50NZTM, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 250 руб.