ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FCPF400N80Z, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
FCPF400N80Z, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FCPF400N80Z, Транзистор
Последняя цена
374 руб.
Сравнить
Описание
N-канальные полевые МОП-транзисторы SuperFET® и SuperFET® II, Fairchild Semiconductor
Fairchild добавила семейство высоковольтных полевых МОП-транзисторов SuperFET® II с использованием технологии Super Junction. Он обеспечивает лучшую в своем классе производительность корпусных диодов в импульсных источниках питания переменного и постоянного тока (SMPS), таких как серверы, телекоммуникации, вычислительная техника, промышленные источники питания, ИБП / ESS, солнечные инверторы, осветительные приборы, которые требуют высокой плотности мощности. , эффективность и надежность системы.
Используя передовую технологию балансировки заряда, разработчики достигают более эффективных, экономичных и высокопроизводительных решений, которые занимают меньше места на плате и повышают надежность.
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
FCPF400N80Z
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1812139
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
11 A
Максимальное рассеяние мощности
35,7 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.9мм
Высота
16.07мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
340 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
10.36мм
Серия
SuperFET II
Типичное время задержки выключения
51 нс
Тип корпуса
TO-220F
Размеры
10.36 x 4.9 x 16.07мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
20 нс
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
43 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1770 пФ при 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 В, +30 В
Вес, кг
2.27
Техническая документация
Datasheet FCPF400N80Z , pdf
, 646 КБ
Datasheet , pdf
, 660 КБ
