ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP7N52K3, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP7N52K3, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP7N52K3, Транзистор
Последняя цена
159 руб.
Сравнить
Описание
N-канальные серии MDmesh ™ K3, SuperMESH3 ™, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STP7N52K3
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1811986
Технические параметры
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
TO-220
Transistor Material
Si
Length
10.4mm
Brand
STMicroelectronics
Series
MDmesh K3, SuperMESH3
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
33 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Mounting Type
Through Hole
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
6 A
Maximum Power Dissipation
90 W
Width
4.6mm
Height
15.75mm
Maximum Drain Source Resistance
850 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
525 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 584 КБ
