ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STF10N60M2, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STF10N60M2, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STF10N60M2, Транзистор
Последняя цена
171 руб.
Сравнить
Описание
Серия N-канальных MDmesh ™ M2, STMicroelectronics
Серия высоковольтных силовых полевых МОП-транзисторов от STMicroelecronics. Благодаря низкому заряду затвора и отличным характеристикам выходной емкости серия MDmesh M2 идеально подходит для использования в импульсных источниках питания резонансного типа (LLC-преобразователи).
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STF10N60M2
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1811865
Технические параметры
Вес, г
2.3
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
TO-220FP
Transistor Material
Si
Length
10.4mm
Brand
STMicroelectronics
Series
MDmesh M2
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
13.5 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-25 V, +25 V
Mounting Type
Through Hole
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
7.5 A
Maximum Power Dissipation
25 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.6mm
Height
16.4mm
Maximum Drain Source Resistance
600 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Техническая документация
Datasheet STF10N60M2 , pdf
, 652 КБ
