ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
CSD16321Q5, Микросхема - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Texas Instruments
CSD16321Q5, Микросхема
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
CSD16321Q5, Микросхема
Последняя цена
261 руб.
Сравнить
Описание
N-Channel NexFET ™ Power MOSFET, Texas Instruments
Информация
Производитель
Texas Instruments
Артикул
CSD16321Q5
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1811849
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
100 А
Максимальное рассеяние мощности
3,1 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
5.1мм
Высота
1.05мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
3,8 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
6.1мм
Серия
NexFET
Типичное время задержки выключения
27 нс
Тип корпуса
SON
Размеры
6.1 x 5.1 x 1.05мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
9 нс
Производитель
Texas Instruments
Maximum Gate Threshold Voltage
1.4V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
14 nC @ 4.5 V
Типичная входная емкость при Vds
2360 пФ при 12,5 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-8 В, +10 В