ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
CSD17307Q5A, Микросхема - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Texas Instruments
CSD17307Q5A, Микросхема
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
CSD17307Q5A, Микросхема
Последняя цена
150 руб.
Сравнить
Описание
N-Channel NexFET ™ Power MOSFET, Texas Instruments
Информация
Производитель
Texas Instruments
Артикул
CSD17307Q5A
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1811848
Технические параметры
Вес, г
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
SON
Transistor Material
Si
Length
5.8mm
Brand
Texas Instruments
Series
NexFET
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
4 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +10 V
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
1.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
73 A
Maximum Power Dissipation
3 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
5mm
Height
1.1mm
Maximum Drain Source Resistance
17.3 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Техническая документация
Datasheet CSD17307Q5A , pdf
, 353 КБ
