DMN3016LK3-13, 30V N-CH Enhancement Mode, Diodes Incorporated - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 42 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный полевой МОП-транзистор, 30 В, Diodes Inc.

Информация

Производитель

Diodes Incorporated

Артикул

DMN3016LK3-13

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1811831

Технические параметры

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

38 А

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество элементов на ИС

Length

6.2мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

DiodesZetex

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Typical Gate Charge @ Vgs

25,1 нКл при 10 В

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Прямое напряжение диода

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Материал транзистора

Кремний

Minimum Gate Threshold Voltage

1.3V

Число контактов

Maximum Power Dissipation

2,8 Вт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

6.7мм

Height

2.39мм

Maximum Drain Source Resistance

16 мΩ

Channel Mode

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

2.3V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 497 КБ

DMN3016LK3-13, 30V N-CH Enhancement Mode - характеристики, поставщики

Последняя цена 42 руб.

Техническая документация