BSC009NE2LS5IATMA1, Транзистор, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 120 руб.

Сравнить

Описание

Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 5

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BSC009NE2LS5IATMA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1811568

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.389

Ширина

6.35мм

Высота

1.1мм

Length

5.49mm

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Infineon

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

+16 V

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Серия

OptiMOS 5

Тип корпуса

SuperSO

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

36 нКл при 10 В

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

100 А

Maximum Power Dissipation

74 Вт

Maximum Drain Source Resistance

1.35 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

25 В

Channel Mode

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1.2V

Forward Diode Voltage

0.62V

Максимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet BSC009NE2LS5IATMA1 , pdf , 1570 КБ

BSC009NE2LS5IATMA1, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 120 руб.

Техническая документация