ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STS6NF20V, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STS6NF20V, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STS6NF20V, Транзистор
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Описание
N-Channel STripFET ™, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STS6NF20V
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1811508
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.127
Максимальный непрерывный ток стока
6 A
Максимальное рассеяние мощности
2,5 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
4мм
Высота
1.25мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
40 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
20 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
5мм
Серия
STripFET
Типичное время задержки выключения
27 нс
Тип корпуса
SOIC
Размеры
5 x 4 x 1.25мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
7 ns
Производитель
STMicroelectronics
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Число контактов
8
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
8,5 нКл при 4,5 В
Типичная входная емкость при Vds
460 пФ при 15 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-12 V, +12 V
Техническая документация
Datasheet STS6NF20V , pdf
, 343 КБ