IPW65R045C7FKSA1, Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1020 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > FET - MOSFET

Полевой МОП-транзистор Infineon CoolMOS ™ C6 / C7

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IPW65R045C7FKSA1

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1811346

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

TO-247

Ширина

5.21 mm

Высота

21.1 mm

Transistor Material

Length

16.13mm

Brand

Infineon

Series

CoolMOS C7

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

93 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-30 V, +30 V

Base Product Number

IPW65R045 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

46A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

650V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

93nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4340pF @ 400V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

Power Dissipation (Max)

227W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 24.9A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 1.25mA

Id - непрерывный ток утечки

46 A

Pd - рассеивание мощности

227 W

Qg - заряд затвора

93 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

40 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

650 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

3.5 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

14 ns

Время спада

7 ns

Длина

16.13 mm

Другие названия товара №

IPW65R045C7 SP000929412

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Коммерческое обозначение

CoolMOS

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

240

Серия

CoolMOS C7

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

82 ns

Типичное время задержки при включении

20 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-247-3

Упаковка

Tube

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

46 A

Maximum Power Dissipation

227 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

21.1mm

Height

5.21mm

Maximum Drain Source Resistance

45 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

700 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

0.9V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1944 КБ
Datasheet IPW65R045C7FKSA1 , pdf , 2007 КБ

IPW65R045C7FKSA1, Trans MOSFET N-CH 650V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - характеристики, поставщики

Последняя цена 1020 руб.

Техническая документация