IRLHS6276TRPBF, Транзистор, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 150 руб.

Сравнить

Описание

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор от 12 В до 25 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает в себя N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRLHS6276TRPBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1811317

Технические параметры

Вес, г

0.076

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

PQFN

Высота

0.95мм

Length

2.1мм

Brand

Infineon

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

3.1 nC @ 4.5 V

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Серия

HEXFET

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.5V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

9,6 А

Maximum Power Dissipation

6.6 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

2.1мм

Maximum Drain Source Resistance

62 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.2V

Техническая документация

Datasheet IRLHS6276TRPBF , pdf , 289 КБ

IRLHS6276TRPBF, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 150 руб.

Техническая документация