ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPB120N06S403ATMA2, Микросхема - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPB120N06S403ATMA2, Микросхема
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPB120N06S403ATMA2, Микросхема
Последняя цена
480 руб.
Сравнить
Описание
Силовые полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ T2
Infineon, № 146, новый OptiMOS ™ -T2 включает ряд энергоэффективных полевых МОП-транзисторов с сокращением выбросов CO2 и электрическими приводами. Новое семейство продуктов OptiMOS ™ -T2 расширяет существующие семейства OptiMOS ™ -T и OptiMOS ™. Продукты OptiMOS ™ доступны в высокопроизводительных пакетах для решения самых сложных задач, обеспечивая полную гибкость в ограниченном пространстве. Эти продукты Infineon разработаны, чтобы соответствовать и превосходить требования к энергоэффективности и удельной мощности усовершенствованных стандартов регулирования напряжения следующего поколения в вычислительных приложениях.
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IPB120N06S403ATMA2
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1811231
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Вес, г
4.536
Максимальный непрерывный ток стока
120 А
Максимальное рассеяние мощности
167 Вт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
9.25мм
Высота
4.4мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
3,2 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
10мм
Серия
OptiMOS T2
Типичное время задержки выключения
80 нс
Тип корпуса
D2PAK (TO-263)
Размеры
10 x 9.25 x 4.4мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
40 нс
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
125 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
10120 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 202 КБ