ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FP30R06W1E3BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 37 А, 1.55 В, 115 Вт, 600 В, Module - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
FP30R06W1E3BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 37 А, 1…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
FP30R06W1E3BOMA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 37 А, 1.55 В, 115 Вт, 600 В, Module
Последняя цена
6370 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
FP30R06W1E3BOMA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1810809
Технические параметры
Вес, г
35.23
Техническая документация
Datasheet FP30R06W1E3BOMA1 , pdf
, 959 КБ