ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IXFH60N50P3, МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 500 В, 0.1 Ом, 10 В, 5 В - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
IXFH60N50P3, МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 500 В, 0.1 Ом, 10 В, 5 В
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IXFH60N50P3, МОП-транзистор, N Канал, 60 А, 500 В, 0.1 Ом, 10 В, 5 В
Последняя цена
710 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой МОП-транзистор, серия IXYS HiperFET ™ Polar3 ™
Серия N-канальных силовых МОП-транзисторов IXYS Polar3 ™ с быстродействующим внутренним диодом (HiPerFET ™)
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
IXFH60N50P3
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1810109
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
to-247
Рассеиваемая Мощность
1.04кВт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
500в
Непрерывный Ток Стока
60А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.1Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
5в
Вес, г
6
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1681 КБ
Datasheet IXFH60N50P3 , pdf
, 177 КБ
Datasheet IXFH60N50P3 , pdf
, 142 КБ