ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFR210TRPBF, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
IRFR210TRPBF, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFR210TRPBF, Транзистор
Последняя цена
137 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный МОП-транзистор, от 200 до 250 В, Vishay Semiconductor
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
IRFR210TRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1810085
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Package Type
DPAK (TO-252)
Length
6.73мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
Vishay
Typical Gate Charge @ Vgs
8,2 нКл при 10 В
Номер канала
Поднятие
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Материал транзистора
Кремний
Число контактов
3
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
2,6 А
Maximum Power Dissipation
25 Вт
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
6.22мм
Height
2.38мм
Maximum Drain Source Resistance
1,5 Ω
Maximum Drain Source Voltage
200 В
Channel Type
N
Минимальное пороговое напряжение включения
2V
Forward Diode Voltage
2V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 809 КБ
