STF12N65M2, Микросхема, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 340 руб.

Сравнить

Описание

Серия N-канальных MDmesh ™ M2, STMicroelectronics
Серия высоковольтных силовых полевых МОП-транзисторов от STMicroelecronics. Благодаря низкому заряду затвора и отличным характеристикам выходной емкости серия MDmesh M2 идеально подходит для использования в импульсных источниках питания резонансного типа (LLC-преобразователи).

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STF12N65M2

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1810055

Технические параметры

Вес, г

0.35

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

TO-220FP

Высота

16.4мм

Transistor Material

Кремний

Length

10.4мм

Brand

STMicroelectronics

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

16.5 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Серия

MDmesh M2

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Power Dissipation

25 Вт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.6мм

Maximum Drain Source Resistance

500 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.6V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 627 КБ

STF12N65M2, Микросхема - характеристики, поставщики

Последняя цена 340 руб.

Техническая документация