MJD32CG, Транзистор, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 45 руб.

Сравнить

Описание

TRANSISTOR, PNP, D-PAK; Transistor Type: Bipolar; Transistor Polarity: PNP; Voltage, Vceo: 100V; Current, Ic Continuous a Max: 3A; Voltage, Vce Sat Max: -1.2V; Power Dissipation: 1.56W; Hfe, Min: 10; ft, Typ: 3MHz; Case Style: D-PAK; Termination Type: SMD; Case Style, Alternate: TO-252; Current, Ic Max: 3A; Current, Ic hFE: 1A; Depth, External: 10.28mm; Length / Height, External: 2.38mm; Marking, SMD: MJD32C; Power, Ptot: 15W; Temperature, Full Power Rating: 25°C; Transistors, No. of: 1; Voltage, Vcbo: 100V; Width, External: 6.73mm; ft, Min: 3MHz
Корпус TO252, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 15 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 3 А, Коэффициент усиления по току, min 10, Коэффициент усиления по току, max 50

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

MJD32CG

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1809998

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.6

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

PNP

Размеры

2.38 x 6.73 x 6.22мм

Высота

2.38мм

Длина

6.73мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Ширина

6.22мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,2 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

1,56 Вт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальный пост. ток коллектора

3 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

3 MHz

Число контактов

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Производитель

ON Semiconductor

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Техническая документация

Datasheet , pdf , 96 КБ
Datasheet , pdf , 282 КБ

MJD32CG, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 45 руб.

Техническая документация