ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FQA32N20C, МОП-транзистор, N Канал, 32 А, 200 В, 68 мОм, 10 В, 4 В - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
FQA32N20C, МОП-транзистор, N Канал, 32 А, 200 В, 68 мОм, 10 В, 4 В
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FQA32N20C, МОП-транзистор, N Канал, 32 А, 200 В, 68 мОм, 10 В, 4 В
Последняя цена
460 руб.
Сравнить
Описание
QFET® N-канальный МОП-транзистор, более 31 А, Fairchild Semiconductor
Новые планарные МОП-транзисторы QFET® компании Fairchild® используют передовую запатентованную технологию, обеспечивающую лучшие в своем классе рабочие характеристики для широкого круга потребителей. диапазон приложений, включая источники питания, PFC (коррекция коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока в постоянный, панели плазменных дисплеев (PDP), осветительные балласты и управление движением.
Они обеспечивают снижение потерь в открытом состоянии за счет снижения сопротивления во включенном состоянии ( RDS (вкл.)) И снижение потерь переключения за счет снижения заряда затвора (Qg) и выходной емкости (Coss). Используя передовую технологию процесса QFET®, Fairchild может предложить улучшенный показатель качества (FOM) по сравнению с конкурирующими устройствами планарных MOSFET.
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
FQA32N20C
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1809782
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-3PN
Рассеиваемая Мощность
204Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
200В
Непрерывный Ток Стока
32А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.068Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
4В
Вес, г
6.401
Техническая документация
Datasheet FQA32N20C , pdf
, 2845 КБ
Datasheet FQA32N20C , pdf
, 2862 КБ