ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
TIP142G, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 125 Вт, 10 А, 500 hFE - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
TIP142G, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 125 Вт, 10 А, 500 hFE
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
TIP142G, Биполярный транзистор, NPN, 100 В, 125 Вт, 10 А, 500 hFE
Последняя цена
390 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы Дарлингтона NPN, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
TIP142G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1809637
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
100В
Стиль Корпуса Транзистора
to-218
Рассеиваемая Мощность
125Вт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
10а
DC Усиление Тока hFE
500hFE
Вес, г
19.05
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 139 КБ
Datasheet , pdf
, 253 КБ