ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FDP8896, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
FDP8896, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FDP8896, Транзистор
Последняя цена
320 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный МОП-транзистор PowerTrench®, от 10 А до 19,9 А, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
FDP8896
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1809634
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Вес, г
1.8
Максимальный непрерывный ток стока
16 A
Максимальное рассеяние мощности
80 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.83мм
Высота
9.4мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
6 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
30 V
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
10.67мм
Серия
PowerTrench
Типичное время задержки выключения
56 нс
Тип корпуса
TO-220AB
Размеры
10.67 x 4.83 x 9.4мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
9 нс
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
48 nC @ 10 V
Типичная входная емкость при Vds
2525 пФ при 15 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
Datasheet FDP8896 , pdf
, 521 КБ
Datasheet , pdf
, 520 КБ