ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N7002K, МОП-транзистор, N Канал, 300 мА, 60 В, 2 Ом, 10 В, 2.5 В - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
2N7002K, МОП-транзистор, N Канал, 300 мА, 60 В, 2 Ом, 10 В, 2.5 В
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
2N7002K, МОП-транзистор, N Канал, 300 мА, 60 В, 2 Ом, 10 В, 2.5 В
Последняя цена
31 руб.
Сравнить
Описание
MOSFET ON Semiconductor 2N7002K 1 N-Kanal 350 mW SOT-23-3
Корпус TO236
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
2N7002K
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1809599
Технические параметры
Вес, г
0.05
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
SOT-23
Transistor Material
Si
Length
2.92mm
Brand
ON Semiconductor
Pin Count
3
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Configuration
Одинарный
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
300 мА
Maximum Power Dissipation
350 mW
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.3мм
Height
1.2мм
Maximum Drain Source Resistance
4.8 Ω
Maximum Drain Source Voltage
60 В
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Техническая документация
Datasheet 2N7002K , pdf
, 385 КБ
Datasheet , pdf
, 172 КБ
Datasheet 2N7002K , pdf
, 400 КБ