ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRF8707GTRPBF, МОП-транзистор, N Канал, 11 А, 30 В, 0.0093 Ом, 10 В, 1.8 В - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRF8707GTRPBF, МОП-транзистор, N Канал, 11 А, 30 В, 0.0093 Ом, 10 В, 1…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRF8707GTRPBF, МОП-транзистор, N Канал, 11 А, 30 В, 0.0093 Ом, 10 В, 1.8 В
Последняя цена
22 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
IRF8707GTRPBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1809474
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
8вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
SOIC
Рассеиваемая Мощность
2.5Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
30В
Непрерывный Ток Стока
11А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.0093Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
1.8В
Вес, г
0.32
Линия Продукции
HEXFET Series