ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTUD3169CZT5G, Микросхема - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NTUD3169CZT5G, Микросхема
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NTUD3169CZT5G, Микросхема
Последняя цена
110 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор с двумя каналами N / P, ON Semiconductor
NTJD1155L - это двухканальный МОП-транзистор. Обладая P- и N-каналом в одном корпусе, этот полевой МОП-транзистор идеально подходит для работы с низким управляющим сигналом, низким напряжением батареи и высокими токами нагрузки. N-канал имеет внутреннюю защиту от электростатического разряда и может управляться логическими сигналами до 1,5 В, в то время как P-канал предназначен для использования в приложениях переключения нагрузки. Канал P также разработан с использованием полуавтоматической траншейной технологии.
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NTUD3169CZT5G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1809351
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
6вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-963
Рассеиваемая Мощность
125мВт
Полярность Транзистора
N and P Channel
Напряжение Истока-стока Vds
20В
Непрерывный Ток Стока
220мА
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.75Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
4.5В
Пороговое Напряжение Vgs
1В
Вес, г
1
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Техническая документация
Datasheet NTUD3169CZT5G , pdf
, 83 КБ