ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTMS4816NR2G, MOSFET N-Channel 30V 11A,Микросхема - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NTMS4816NR2G, MOSFET N-Channel 30V 11A,Микросхема
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NTMS4816NR2G, MOSFET N-Channel 30V 11A,Микросхема
Последняя цена
86 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 30 В, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NTMS4816NR2G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1809268
Технические параметры
Вес, г
0.1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
SOIC
Transistor Material
Si
Length
5mm
Brand
ON Semiconductor
Pin Count
8
Typical Gate Charge @ Vgs
9.2 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
3V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Power Dissipation
2.04 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4mm
Height
1.5mm
Maximum Drain Source Resistance
16 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Техническая документация
Datasheet NTMS4816NR2G , pdf
, 196 КБ
Datasheet NTMS4816NR2G , pdf
, 110 КБ