ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FQPF33N10L, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
FQPF33N10L, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FQPF33N10L, Транзистор
Последняя цена
103 руб.
Сравнить
Описание
QFET® N-канальный МОП-транзистор, от 11А до 30А, Fairchild Semiconductor
Новые планарные МОП-транзисторы QFET® компании Fairchild® используют передовую запатентованную технологию, обеспечивающую лучшие в своем классе рабочие характеристики для широкий спектр приложений, включая источники питания, PFC (коррекция коэффициента мощности), преобразователи постоянного тока в постоянный, панели плазменных дисплеев (PDP), осветительные балласты и управление движением.
Они обеспечивают снижение потерь в открытом состоянии за счет снижения сопротивления в открытом состоянии (RDS (вкл.)) И уменьшенные потери переключения за счет снижения заряда затвора (Qg) и выходной емкости (Coss). Используя передовую технологию процесса QFET®, Fairchild может предложить улучшенный показатель качества (FOM) по сравнению с конкурирующими устройствами планарных MOSFET.
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
FQPF33N10L
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1809221
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Вес, г
2
Максимальный непрерывный ток стока
18 А
Максимальное рассеяние мощности
41 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.9мм
Высота
16.07мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
55 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
10.36мм
Серия
QFET
Типичное время задержки выключения
70 нс
Тип корпуса
TO-220F
Размеры
10.36 x 4.9 x 16.07мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
17 нс
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
30 nC @ 5 V
Типичная входная емкость при Vds
1250 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 557 КБ
