ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FQD11P06TM, МОП-транзистор, P Канал, -9.4 А, -60 В, 0.15 Ом, -10 В, -4 В - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
FQD11P06TM, МОП-транзистор, P Канал, -9.4 А, -60 В, 0.15 Ом, -10 В, -4…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FQD11P06TM, МОП-транзистор, P Канал, -9.4 А, -60 В, 0.15 Ом, -10 В, -4 В
Последняя цена
160 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
FQD11P06TM
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1809131
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
1.512
Максимальный непрерывный ток стока
9,4 А
Максимальное рассеяние мощности
2.5 W
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
6.1мм
Высота
2.3мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
185 мΩ
Максимальное напряжение сток-исток
60 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
P
Длина
6.6мм
Типичное время задержки выключения
15 нс
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Размеры
6.6 x 6.1 x 2.3мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
6,5 нс
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
13 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
420 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Техническая документация
Datasheet FQD11P06TM , pdf
, 1327 КБ