IRFU5410PBF, МОП-транзистор, P Канал, 13 А, -100 В, 205 мОм, -10 В, -4 В, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 67 руб.

Сравнить

Описание

P-канальные силовые полевые МОП-транзисторы от 100 до 150 В, Infineon
Infineon, предлагает линейку дискретных силовых полевых МОП-транзисторов HEXFET®, включая P-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят почти для всех любая компоновка платы и задача теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IRFU5410PBF

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1808970

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.2

Максимальный непрерывный ток стока

13 A

Максимальное рассеяние мощности

66 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

2.39мм

Высота

6.22мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

205 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Длина

6.73мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

45 ns

Тип корпуса

IPAK (TO-251AA)

Размеры

6.73 x 2.39 x 6.22мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

15 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

58 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

760 pF @ -25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet IRFR5410, IRFU5410 , pdf , 268 КБ
Datasheet IRFU5410PBF , pdf , 274 КБ

IRFU5410PBF, МОП-транзистор, P Канал, 13 А, -100 В, 205 мОм, -10 В, -4 В - характеристики, поставщики

Последняя цена 67 руб.

Техническая документация