ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FCH072N60F, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
FCH072N60F, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FCH072N60F, Транзистор
Последняя цена
733 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор 600V, 52A, 72mOhm N-Channel Mosfet
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
FCH072N60F
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1808709
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.4
Максимальный непрерывный ток стока
35 А
Максимальное рассеяние мощности
481 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.82мм
Высота
20.82мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
72 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
600 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
15.87мм
Серия
SuperFET II
Типичное время задержки выключения
140 нс
Тип корпуса
TO-247
Размеры
15.87 x 4.82 x 20.82мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
43 нс
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
165 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
6510 пФ при 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Техническая документация
Datasheet FCH072N60F , pdf
, 824 КБ