STB80NF55-06T4, N Канал, 40 А, 55 В, 5 мОм, 10 В, 3, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 510 руб.

Сравнить

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STB80NF55-06T4

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1808575

Технические параметры

Вес, г

0.454

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Максимальное рассеяние мощности

300 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

9.35мм

Количество элементов на ИС

Brand

STMicroelectronics

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Pin Count

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

±20 В

Длина

10.4мм

Тип корпуса

D2PAK

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Gate Threshold Voltage

Типичный заряд затвора при Vgs

142 нКл при 10 В

Maximum Continuous Drain Current

80 А

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

4.37мм

Maximum Drain Source Resistance

6,5 мΩ

Channel Mode

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

Forward Diode Voltage

1.5V

STB80NF55-06T4, N Канал, 40 А, 55 В, 5 мОм, 10 В, 3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 510 руб.