LND150N8-G, Транзистор, Microchip Technology - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 250 руб.

Сравнить

Описание

• Отсутствие вторичного пробоя
• Требование к низкому энергопотреблению
• Простота параллельного подключения
• Превосходная термическая стабильность
• Встроенный диод сток-исток
• Высокое входное сопротивление и низкий уровень СНПЧ < / p>

Информация

Производитель

Microchip Technology

Артикул

LND150N8-G

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1808510

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.06

Максимальный непрерывный ток стока

30 mA

Максимальное рассеяние мощности

1.6 W

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

2.6мм

Высота

1.6мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

1 кОм

Максимальное напряжение сток-исток

500 V

Номер канала

Опускание

Тип канала

Длина

4.6мм

Типичное время задержки выключения

100 нс

Тип корпуса

TO-243AA

Размеры

4.6 x 2.6 x 1.6мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

90 ns

Производитель

Микрокристалл

Maximum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичная входная емкость при Vds

7,5 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet LND150N8-G , pdf , 366 КБ
Datasheet , pdf , 627 КБ

LND150N8-G, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 250 руб.

Техническая документация