ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFPE30PBF, Транзистор N-Channel 800V 4.1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Vishay
IRFPE30PBF, Транзистор N-Channel 800V 4.1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFPE30PBF, Транзистор N-Channel 800V 4.1
Последняя цена
680 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor
Информация
Производитель
Vishay
Артикул
IRFPE30PBF
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1808405
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
4.1 A
Максимальное рассеяние мощности
125 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5.31мм
Высота
20.7мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
3 Ω
Максимальное напряжение сток-исток
800 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
15.87мм
Типичное время задержки выключения
82 нс
Тип корпуса
TO-247AC
Размеры
15.87 x 5.31 x 20.7мм
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
12 нс
Производитель
Vishay
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
78 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
1300 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В