BUL45D2G, Транзистор, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 196 руб.

Сравнить

Описание

• Требования к низкому базовому напряжению
• Встроенный диод свободного хода коллектор-эмиттер
• Полностью охарактеризованный и гарантированный динамический VCE (насыщенный)
• Процесс 6 сигм, обеспечивающий малый и воспроизводимый разброс параметров

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

BUL45D2G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1808339

Технические параметры

Вес, г

3.5

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Transistor Type

NPN

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

1 В пост. тока

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

1 МГц

Number of Elements per Chip

Maximum Collector Base Voltage

700 V dc

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

400 V dc

Maximum Power Dissipation

75 Вт

Pin Count

Maximum Emitter Base Voltage

12 V dc

Размеры

10.53 x 4.83 x 15.75мм

Максимальный пост. ток коллектора

10 (Peak) A, 5 (Continuous) A

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

1 В пост. тока

Тип корпуса

TO-220

Техническая документация

Datasheet BUL45D2G , pdf , 369 КБ
Datasheet BUL45D2G , pdf , 223 КБ

BUL45D2G, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 196 руб.

Техническая документация