ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTB60N06T4G, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NTB60N06T4G, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NTB60N06T4G, Транзистор
Последняя цена
170 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный силовой полевой МОП-транзистор, 60 В, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
NTB60N06T4G
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1808321
Технические параметры
Вес, г
2.359
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Package Type
D2PAK (TO-263)
Transistor Material
Si
Length
10.29mm
Brand
ON Semiconductor
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
62 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Transistor Configuration
Одиночный
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Power Dissipation
150 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
9.65mm
Height
4.83mm
Maximum Drain Source Resistance
14 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
60 В
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Техническая документация
Datasheet NTB60N06T4G , pdf
, 208 КБ
Datasheet NTB60N06T4G , pdf
, 87 КБ
Datasheet NTB60N06T4G , pdf
, 160 КБ
