FQD2N100TM, Транзистор, Fairchild Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 200 руб.

Сравнить

Описание

МОП-транзистор 1000V N-Channel QFET

Информация

Производитель

Fairchild Semiconductor

Артикул

FQD2N100TM

Категория

Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)

Номенклатурный номер

1808263

Технические параметры

Вес, г

0.4

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Ширина

6.1мм

Число контактов

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 V, +30 V

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Transistor Configuration

Одинарный

Серия

QFET

Длина

6.6мм

Высота

2.3мм

Размеры

6.6 x 6.1 x 2.3мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Производитель

ON Semiconductor

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Количество элементов на ИС

Максимальный непрерывный ток стока

1,6 А

Максимальное рассеяние мощности

2.5 W

Minimum Gate Threshold Voltage

Максимальное сопротивление сток-исток

9 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

1000 В

Материал транзистора

Номер канала

Поднятие

Типичная входная емкость при Vds

400 пФ при 25 В

Тип канала

Типичное время задержки выключения

25 нс

Типичное время задержки включения

13 ns

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

12 nC @ 10 V

Техническая документация

Datasheet FQD2N100TM , pdf , 906 КБ
Datasheet FQU2N100TU , pdf , 847 КБ

FQD2N100TM, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 200 руб.

Техническая документация