ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FQA40N25, Транзистор [TO-3P] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
FQA40N25, Транзистор [TO-3P]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
FQA40N25, Транзистор [TO-3P]
Последняя цена
610 руб.
Сравнить
Описание
МОП-транзистор 250V N-Channel QFET
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
FQA40N25
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1808146
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
6.401
Максимальный непрерывный ток стока
40 A
Максимальное рассеяние мощности
280 W
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
5мм
Высота
18.9мм
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
70 мОм
Максимальное напряжение сток-исток
250 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Длина
15.8мм
Серия
QFET
Типичное время задержки выключения
120 ns
Тип корпуса
TO-3PN
Размеры
15.8 x 5 x 18.9мм
Материал транзистора
Кремний
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
70 нс
Производитель
ON Semiconductor
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
85 нКл при 10 В
Типичная входная емкость при Vds
3100 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-30 V, +30 V
Техническая документация
Datasheet FQA40N25 , pdf
, 1901 КБ
Datasheet FQA40N25 , pdf
, 1981 КБ
Datasheet FQA40N25 , pdf
, 1974 КБ