BC856S, Транзистор, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 120 руб.

Сравнить

Описание

• Низкая емкость коллектора
• Низкое напряжение насыщения коллектор-эмиттер
• Точно согласованное усиление по току
• Уменьшает количество компонентов и пространство на плате
• Отсутствие взаимных помех между транзисторами

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Артикул

BC856S

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1808113

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.05

Transistor Configuration

Изолированный

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

PNP

Размеры

2.2 x 1.35 x 1.1мм

Высота

1.1мм

Длина

2.2мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Ширина

1.35мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

-100 mV

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

250 мВт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

65 V

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 V

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

Тип корпуса

SOT-363 (SC-88)

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

-700 мВ

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

110

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Datasheet , pdf , 88 КБ
Datasheet , pdf , 205 КБ

BC856S, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 120 руб.

Техническая документация