STP80N10F7, Транзистор, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 217 руб.

Сравнить

Описание

N-канальные полевые МОП-транзисторы STripFET ™ H7, STMicroelectronics
МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STP80N10F7

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1808108

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.3

Максимальный непрерывный ток стока

80 A

Максимальное рассеяние мощности

110 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

15.75мм

Высота

4.6мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

10 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Длина

10.4мм

Серия

STripFET H7

Типичное время задержки выключения

36 ns

Тип корпуса

TO-220

Размеры

10.4 x 15.75 x 4.6мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

19 ns

Производитель

STMicroelectronics

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

2.5V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

45 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

3100 пФ при 50 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet , pdf , 232 КБ

STP80N10F7, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 217 руб.

Техническая документация