2N4922G, Транзистор, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 900 руб.

Сравнить

Описание

• Отличная безопасная рабочая зона
• Низкое напряжение насыщения
• Отличное рассеивание мощности благодаря конструкции термопрокладки
• Высокая производительность

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

2N4922G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1807699

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.68

Maximum Operating Frequency

1 МГц

Number of Elements per Chip

Length

7.8мм

Maximum Collector Base Voltage

60 V dc

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Package Type

TO-225

Maximum Power Dissipation

30 Вт

Width

3мм

Height

11.1мм

Maximum Emitter Base Voltage

5 V dc

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип транзистора

NPN

Размеры

7.8 x 3 x 11.1мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.6 V dc

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 V dc

Максимальный пост. ток коллектора

1 (Continuous) A, 3 (Peak) A

Число контактов

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1.3 V dc

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Transistor Material

Кремний

Техническая документация

Datasheet , pdf , 145 КБ
Datasheet , pdf , 185 КБ

2N4922G, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 900 руб.

Техническая документация