STD65N55F3, MOSFET транзистор, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 430 руб.

Сравнить

Описание

N-канальные полевые МОП-транзисторы STripFET ™ F3, STMicroelectronics
МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STD65N55F3

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1807538

Технические параметры

Вес, г

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

DPAK (TO-252)

Transistor Material

Length

6.6мм

Brand

STMicroelectronics

Series

STripFET F3

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

33.5 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Power Dissipation

110 Вт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

6.2мм

Height

2.4мм

Maximum Drain Source Resistance

8.5 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Техническая документация

Datasheet STD65N55F3 , pdf , 434 КБ

STD65N55F3, MOSFET транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 430 руб.

Техническая документация