ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NSS1C201MZ4T1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NSS1C201MZ4T1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
NSS1C201MZ4T1G
Последняя цена
64 руб.
Сравнить
Описание
NPN-транзисторы общего назначения, более 1 А, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1807217
Технические параметры
Вес, г
0.248
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.18 V dc
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
1 MHz
Number of Elements per Chip
1
Length
6.7mm
Maximum Collector Base Voltage
140 V dc
Transistor Configuration
Single
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
100 V
Package Type
SOT-223
Maximum Power Dissipation
2 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
3.7mm
Maximum DC Collector Current
2 A
Height
1.65mm
Pin Count
3 + Tab
Dimensions
6.7 x 3.7 x 1.65mm
Maximum Emitter Base Voltage
7 V
Minimum DC Current Gain
40
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
1.10 V dc
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 105 КБ
Datasheet NSS1C201MZ4T1G , pdf
, 181 КБ
