ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STP60NF10, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STP60NF10, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STP60NF10, Транзистор
Последняя цена
430 руб.
Сравнить
Описание
N-Channel STripFET ™ II, STMicroelectronics
МОП-транзисторы STripFET ™ с широким диапазоном напряжения пробоя обеспечивают сверхнизкий заряд затвора и низкое сопротивление в открытом состоянии.
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STP60NF10
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1805025
Технические параметры
Package Type
TO-220
Transistor Material
Si
Length
10.4mm
Brand
STMicroelectronics
Series
STripFET II
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
104 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Through Hole
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Power Dissipation
300 W
Width
4.6mm
Height
15.75mm
Maximum Drain Source Resistance
23 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Dimensions
10.4 x 4.6 x 15.75mm
Typical Turn-On Delay Time
17 ns
Typical Turn-Off Delay Time
82 ns
Category
Power MOSFET
Typical Input Capacitance @ Vds
4270 pF@ 25 V