ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N6038G, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
2N6038G, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
2N6038G, Транзистор
Последняя цена
160 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы Дарлингтона NPN, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
2N6038G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1803980
Технические параметры
Вес, г
1
Mounting Type
Through Hole
Transistor Type
NPN
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
11.04mm
Maximum Collector Base Voltage
60 V
Transistor Configuration
Single
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
60 V
Package Type
TO-225AA
Maximum Power Dissipation
40 W
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Width
7.74mm
Height
2.66mm
Pin Count
3
Dimensions
11.04 x 7.74 x 2.66mm
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Minimum DC Current Gain
100
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
4 V
Maximum Collector Cut-off Current
100µA
Maximum Continuous Collector Current
4 A
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 204 КБ
Datasheet , pdf
, 143 КБ
