ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ZXT12N50DXTA, Транзистор, 2NPN, 50В, 3А [MSOP-8] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
ZXT12N50DXTA, Транзистор, 2NPN, 50В, 3А [MSOP-8]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
ZXT12N50DXTA, Транзистор, 2NPN, 50В, 3А [MSOP-8]
Последняя цена
260 руб.
Сравнить
Описание
NPN-транзисторы общего назначения, более 1,5 А, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
ZXT12N50DXTA
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1800064
Технические параметры
Структура
2 x npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
100
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
300…900
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
0.87
Корпус
msop-8
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
132
Техническая документация
ZXT12N50DX , pdf
, 262 КБ
Datasheet ZXT12N50DXTA , pdf
, 262 КБ