ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
ZVNL110GTA, Транзистор - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
ZVNL110GTA, Транзистор
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
ZVNL110GTA, Транзистор
Последняя цена
88 руб.
Сравнить
Описание
N-канальный полевой МОП-транзистор, от 100 до 950 В, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Артикул
ZVNL110GTA
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1800052
Технические параметры
Mounting Type
Surface Mount
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Length
6.55mm
Transistor Configuration
Single
Brand
DiodesZetex
Package Type
SOT-223
Maximum Power Dissipation
2 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
3.55mm
Height
1.65mm
Pin Count
3 + Tab
Transistor Material
Si
Maximum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Continuous Drain Current
600 mA
Maximum Drain Source Resistance
4.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 1681 КБ
Datasheet ZVNL110GTA , pdf
, 18 КБ
Datasheet ZVNL110GTA , pdf
, 589 КБ
Datasheet ZVNL110GTA , pdf
, 551 КБ
Datasheet ZVNL110GTA , pdf
, 548 КБ